Microchip Technology Inc.Microchip Technology Inc.
Корпус DIP-18
Ядро PIC, 8-бит
Flash-память 1.75 КБайт
EEPROM-память 64 Байт
RAM-память 68 Байт
Кол-во каналов АЦП 0
Напряжение питания ядра 2...6 В
Напряжение питания периферии 2...6 В
Рабочая температура -40...85 °C
Высокопроизводительный RISC-процессор:
Всего 35 команд
Все команды исполняются за один такт (200 нс), кроме инструкций перехода, выполняемых за два такта
Скорость работы:
тактовая частота до 20 МГц
минимальная длительность такта 200 нс
14 битовые команды
8 - битовые данные
15 аппаратных регистров специального назначения
8-уровней аппаратный стек
Прямой, косвенный и относительный режимы адресации для данных и инструкций
четыре источника прерывания:
внешний вход RB0/INT
переполнение таймера TMR0
прерывание при изменении сигналов на линии порта B (PORTB<7:4>)
по завершению записи данных в EEPROM
1000 циклов записи/стирания FLASH памяти программы
1 000 000 циклов записи/стирания памяти данных EEPROM
Период хранения данных EEPROM > 40 лет
Периферия:
13 линий ввода/вывода с индивидуальным контролем направления
Сильноточные схемы для непосредственного управления светодиодными индикаторами:
25 мА макс. вытек. ток
Timer0: 8-разрядный таймер/счетчик с 8-разрядным программируемым предварительным делителем
Особенности микроконтроллера:
Программирование на плате через последовательный порт (ICSPT) (с использованием двух выводов)
Сброс при включении питания (POR)
Таймер включения питания (PWRT) и таймер запуска генератора (OST)
Сброс по падению напряжения питания
Сторожевой таймер (WDT) с собственным встроенным RC-генератором для повышения надежности работы
Программируемая защита кода
Режим экономии энергии (SLEEP)
Выбираемые режимы тактового генератора
Технология КМОП:
Экономичная, высокоскоростная технология КМОП ЭППЗУ/ЭСППЗУ
Полностью статическая архитектура
Широкий рабочий диапазон напряжений питания - от 2,0В до 5,5В
Коммерческий, промышленный и расширенный температурный диапазоны
Низкое потребление энергии:
< 2 мА при 5,0 В, 4,0 МГц
15 мкА (типичное значение) при 2 В, 32 кГц
< 0,5 мкА (типичное значение) в режиме STANDBY при 2В>
